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利用Ge/Ge[9058]Si[fec5]緩衝層在Si基板上成長高品質的ZnSe磊晶層
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資料識別:
A06092394
資料類型:
期刊論文
著作者:
楊宗熺 羅廣禮 辜瑞泰 周武清 張俊彥
主題與關鍵字:
硒化鋅 矽 矽鍺 偏角度矽基板 穿透缺陷 分子束磊晶
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:12:9=134 民95.09
頁次:頁182-188
日期:
20060900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
楊宗熺 羅廣禮 辜瑞泰 周武清 張俊彥(20060900)。[利用Ge/Ge[9058]Si[fec5]緩衝層在Si基板上成長高品質的ZnSe磊晶層]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4d/68/e4.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4d/68/e4.html
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