淺接面結構對功率電晶體電性改善之研究
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- 資料識別：
- A06091774
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， C. W.) 顏培仁(Yen， P. J.) 吳明瑞(Wu， M. R.) 簡鐸欣(Chieh， D. S.) 簡鳳佐(Chieh， F. T.) 董正暉(Tung， C. H.) 涂高維(Tu， K. W.) 蘇世宗(Su， S. T.)
- 主題與關鍵字：
- 功率電晶體 磊晶層 導通電阻值 淺接面 Power MOSFET EPI R□ Shallow junction
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:31 民94.10
- 頁次:頁129-136
- 日期：
- 20051000
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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