絕緣層上矽互補式金氧半場效電晶體元件電性模擬分析
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A06082087
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 林嘉洤(Lin， Jia-chuan) 孫尚禮(Sun， Shang-li) 陳語絜(Chen， Yu-chieh)
- 主題與關鍵字：
- 互補式金氧半場效電晶體 短通道效應 絕緣層上矽 Complementary metal oxide semiconductor transistor CMOS Short channel effect SCE Silicon on insulator SOI
- 描述：
- 來源期刊:聖約翰學報
- 卷期:22 民94.08
- 頁次:頁175-186
- 日期：
- 20050800
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
