利用TEM和PL技術探討MOVPE成長條件對InGaP/GaAs反向介面性質的影響--透過最佳化成長條件抑制InGaP/GaAs介面內InGaAsP混合層的形成
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- 資料識別：
- A06078715
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 謝炎璋 羅廣禮 張翼
- 主題與關鍵字：
- 蝕刻 穿透式電子顯微成像技術 光激發螢光技術 半導體 金屬有機體氣相沉積法 TEM PL MOVPE
- 描述：
- 來源期刊:電子月刊
- 卷期:12:7=132 民95.07
- 頁次:頁122-128
- 日期：
- 20060700
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
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