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探討高介電材料來取代快Km閃記憶體的穿透層或阻擋層的電性
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後設資料
資料識別:
A06065430
資料類型:
期刊論文
著作者:
潘同明 李建德
描述:
來源期刊:e 科技雜誌
卷期:66 民95.06
頁次:頁18-22
日期:
20060600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
潘同明 李建德(20060600)。[探討高介電材料來取代快Km閃記憶體的穿透層或阻擋層的電性]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/f4/75.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/f4/75.html
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