首頁
部落格
Facebook專頁
ENGLISH
珍藏特展
目錄導覽
技術體驗
成果網站資源
目錄導覽首頁
HOTKEY快速導覽
內容主題
典藏機構
進階搜尋
資源聯盟
首頁
目錄導覽
內容主題
新聞
國圖館藏期刊
首頁
目錄導覽
典藏機構與計畫
國家圖書館
國家圖書館期刊報紙典藏數位化計畫
Electrostatic Charging Damage on the Characteristics and Reliability of Poly-Si TFT during Plasma Hydrogenation
推薦分享
資源連結
連結到原始資料
(您即將開啟新視窗離開本站)
後設資料
資料識別:
A06051711
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen) 吳明瑞(Wu, Ming-ray)
主題與關鍵字:
電漿氫化 薄膜電晶體 靜電充電危害 複晶矽 缺陷狀態 Plasma hydrogenation TFT Electrostatic charging damage Polysilicon Trap state
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:23 民88.12
頁次:頁127-131
日期:
19991200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳啟文(Chen, Chii-wen) 吳明瑞(Wu, Ming-ray)(19991200)。[Electrostatic Charging Damage on the Characteristics and Reliability of Poly-Si TFT during Plasma Hydrogenation]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/bb/31.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/bb/31.html
評分與驗證
請為這筆數位資源評分
感謝您為這筆數位資源評分,為了讓資料更容易被檢索利用,請選擇和這項數位資源相關的詞彙:
薄膜電晶體
氫化
靜電
請填入更適合的關鍵詞
推薦藏品
金木水火土
「幽靈」與「朋友」:論晚期解構主義的...
硼含量對AlCoCrFe₂NiMo□...
應用綠色螢光蛋白報導基因探討蝴蝶蘭癒...
白話散文與雜文--《中國現代文學的兩...
IC光阻材料技術發展