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Estimation of W-polycide Gated Process with Superior Device Behavior in Deep Sub-μm CMOS Technology
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後設資料
資料識別:
A06051131
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen) 吳明瑞(Wu, Ming-ray)
主題與關鍵字:
深次微米 鎢複晶矽閘極 通道長度 短通道效應 場效電晶體 Deep sub-μm W-polycide Channel length Short channel effect CMOSFET
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:20 民87.05
頁次:頁205-211
日期:
19980500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳啟文(Chen, Chii-wen) 吳明瑞(Wu, Ming-ray)(19980500)。[Estimation of W-polycide Gated Process with Superior Device Behavior in Deep Sub-μm CMOS Technology]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/b8/f0.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/b8/f0.html
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