Effective Channel Length Shrinkage and Earlier Punch-Through Effect in As/B-Implanted n+/p+ Dual Ploy-Si Gate CMOS Devices
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- 資料識別：
- A06050097
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， Chii-wen) 吳明瑞(Wu， Ming-ray)
- 主題與關鍵字：
- 穿透崩潰 有效通道長度 P型複晶矽 硼離子算擴散 再氧化氮氧化物 自我對準鈦矽化物 Punch-through Effective channel length P+-polysilicon Boron penetration reoxidized-oxynitride Titanium-polycide
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:24 民89.06
- 頁次:頁307-313
- 日期：
- 20000600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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