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Oxide Charging Effects Induced by Plasma Hydrogenation on Poly-si Thin Film Transistors
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後設資料
資料識別:
A06050013
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳啟文(Chen, Chii-wen)
主題與關鍵字:
薄膜電晶體 電漿氫化 電荷損害 天線效應 TFT Plasma hydrogenation Plasma charging damage Antenna effect
描述:
來源期刊:明新學報
卷期:19 民86.11
頁次:頁187-194
日期:
19971100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳啟文(Chen, Chii-wen)(19971100)。[Oxide Charging Effects Induced by Plasma Hydrogenation on Poly-si Thin Film Transistors]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/b0/b3.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4c/b0/b3.html
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