A Novel Stack Structure to Improve the Effect of W-Polycide Gate on MOS Device Degradation with Un-doped α-Si/Heavy-Doped Poly-Si MultiLayer
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- 資料識別：
- A06049856
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， Chii-wen)
- 主題與關鍵字：
- 氟 介面能態 鎢複晶矽 氮氧化物 電荷幫浦注入 Fluorine Interface state Tungsten polycide α-Si layer
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:16 民85.06
- 頁次:頁87-92
- 日期：
- 19960600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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