Fluorine-induced Interface States in W-polycide MOS Devices with Nitrided Oxide Gate Dielectric
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- 資料識別：
- A06049718
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， C. W.)
- 主題與關鍵字：
- 氟 介面能態 鎢複晶矽 氮氧化物 電荷幫浦注入 Fluorine Interface state Tungsten polycide Oxynitride Charge pumping
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:15 民84.12
- 頁次:頁57-62
- 日期：
- 19951200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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