A Brief Analysis of Device Paramenters Effects on Performances of Trench-type Insulated Gate Bipolar Transistors
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- 資料識別：
- A06034204
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 歐陽昌義(Ou-Yang， Chang-i)
- 主題與關鍵字：
- 絕緣閘雙極性電晶體 金氧半場效電晶體 低壓化學氣相蒸鍍 IGBT Insulated gate bipolar transistor MOSFET Metal-oxide-semiconductor field effect transistor LPCVD Low pressure chemical vapor deposition
- 描述：
- 來源期刊:北台學報
- 卷期:28 民94.03
- 頁次:頁123-131
- 日期：
- 20050300
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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