局部與全面形變矽通道(Strained Si Channel)互補式金氧半(CMOS)之材料、製程與元件特性分析
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- 資料識別：
- A05009489
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 林宏年 呂嘉裕 林鴻志 黃調元
- 主題與關鍵字：
- 金氧半場效電晶體 應變矽 矽鍺磊晶 遷移率
- 描述：
- 來源期刊:奈米通訊
- 卷期:12:2 民94.05
- 頁次:頁18-22
- 日期：
- 20050500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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