絕緣層上矽可變電容的溫度特性分析及模型化技術

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A05009486
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳坤明 黃國威 葉文冠
主題與關鍵字:
絕緣層上矽 可變電容 溫度 品質因數 元件模型 Silicon on insulator Varactor Temperature Quality factor Device model
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:12:2 民94.05
頁次:頁1-8
日期:
20050500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

應用專一高效能之人類白血球功能檢驗法...
人類幹細胞研究的法議題
臺灣重要之林木苗期病害
「幽靈」與「朋友」:論晚期解構主義的...
鄭和時代印度洋情勢與中國的關係
中國佛學的發展結構與詮釋方法論--創...