局部與全面形變矽通道(strained Si channel)互補式金氧半(CMOS)之材料、製程與元件特性分析

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資料識別:
A05004330
資料類型:
期刊論文
著作者:
林宏年 呂嘉裕 林鴻志 黃調元
主題與關鍵字:
金氧半場效電晶體 應變矽 矽鍺磊晶 遷移率
描述:
來源期刊:奈米通訊
卷期:12:1 民94.02
頁次:頁44-49
日期:
20050200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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