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An Analytical (Classical) Subthreshold Behavior Model for Symmetrical Fully-Depleted SOI Double-Gate Mosfet's
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後設資料
資料識別:
A04007307
資料類型:
期刊論文
著作者:
Chiang,Te-kuang
主題與關鍵字:
Double-gate MOSFET's Subthreshold swing degradation Threshold voltage roll-off Effective conducting path
描述:
來源期刊:中國工程學刊
卷期:27:2 民93.03
頁次:頁223-230
日期:
20040300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
Chiang,Te-kuang(20040300)。[An Analytical (Classical) Subthreshold Behavior Model for Symmetrical Fully-Depleted SOI Double-Gate Mosfet's]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4b/47/63.html(2024/09/14瀏覽)。
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http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4b/47/63.html
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