An Analytical (Classical) Subthreshold Behavior Model for Symmetrical Fully-Depleted SOI Double-Gate Mosfet's

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資料識別:
A04007307
資料類型:
期刊論文
著作者:
Chiang,Te-kuang
主題與關鍵字:
Double-gate MOSFET's Subthreshold swing degradation Threshold voltage roll-off Effective conducting path
描述:
來源期刊:中國工程學刊
卷期:27:2 民93.03
頁次:頁223-230
日期:
20040300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

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管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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