High Temperature and High Frequency Characteristics of AlGaN/GaN MOS-HFETs with Photochemical Vapor Deposited SiO[feaf]Layer
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A04004644
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 蘇炎坤(Su， Y. K.) 張守進(Chang， S. J.) 林天坤(Lin， T. K.) 王俊凱(Wang， C. K.) 柯淙凱(Ko， T. K.) 沈建賦(Shen， C. F.) 劉信良(Liu， S. L.) 邱裕中(Chiou， Y. Z.)
- 主題與關鍵字：
- GaN Photo-CVD SiO[feaf] MOSHFET HFET
- 描述：
- 來源期刊:真空科技
- 卷期:16:3 民93.01
- 頁次:頁7-12
- 日期：
- 20040100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
