在具有超薄(EOT=1.6nm)氮化閘極氧化層之0.13μm n型金氧半電晶體中由熱電子所引發於閘極絕緣層內之電子捕獲現象
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- 資料識別：
- A04045761
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 余昱穎 陳經緯 簡昭欣
- 主題與關鍵字：
- 氮 熱電子 電子陷阱
- 描述：
- 來源期刊:奈米通訊
- 卷期:11:4 民93.11
- 頁次:頁6-10
- 日期：
- 20041100
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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