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Effect of Band-Offset Ratio on Characteristics of 405-nm InGaN Quantum-Well Lasers
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資料識別:
A04031110
資料類型:
期刊論文
著作者:
劉柏挺(Liou, Bo-ting) 郭艷光(Kuo, Yen-kuang) 顏勝宏(Yen, Sheng-horng) 林正洋(Lin, Cheng-yang)
主題與關鍵字:
氮化銦鎵 導電帶與價電帶井深比例 量子井雷射 臨界電流 InGaN Band-Offset ratio Quantum-well laser Threshold current
描述:
來源期刊:修平學報
卷期:9 民93.09
頁次:頁53-67
日期:
20040900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
劉柏挺(Liou, Bo-ting) 郭艷光(Kuo, Yen-kuang) 顏勝宏(Yen, Sheng-horng) 林正洋(Lin, Cheng-yang)(20040900)。[Effect of Band-Offset Ratio on Characteristics of 405-nm InGaN Quantum-Well Lasers]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/ff/82.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/ff/82.html
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