Development of High Quality Tunnel Oxide and Nitride Layers for Sonos Flash Memories
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- 資料識別：
- A04030655
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- Wu，Kuo-hong Chen，Tung-sheng Chung，Hsien Kao，Chin-hsing
- 主題與關鍵字：
- Flash memory SONOS Tunnel oxide Charge-trapping efficiency
- 描述：
- 來源期刊:International Journal of Electrical Engineering
- 卷期:11:3 民93.08
- 頁次:頁223-227
- 日期：
- 20040800
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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