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矽深蝕刻中RIE LAG效應之消除
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後設資料
資料識別:
A04026955
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳秀香(Chen, Hsiu-hsiang)
主題與關鍵字:
活性離子蝕刻延遲 與深寬比有關的蝕刻率 保護層 RIE lag ARDE Passivator
描述:
來源期刊:光學工程
卷期:87 民93.09
頁次:頁55-60
日期:
20040900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳秀香(Chen, Hsiu-hsiang)(20040900)。[矽深蝕刻中RIE LAG效應之消除]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/f1/7c.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/f1/7c.html
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