Simulation with a Multi-MOS Model for Power Semiconductor Devices
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- 資料識別：
- A04016410
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 高家雄(Kao， Chia-hsiung) 曾俊傑(Tseng， Chun-chieh) 李豐明(Lee， Fong-ming) 沈征(Shen， John Z.)
- 主題與關鍵字：
- Power semiconductor devices Integrated IGBT Current sensors SPICE3 Multi-MOS model Equivalent circuit model 金氧半導體 高能元件 絕緣閘極雙載子電晶體 電流感應器
- 描述：
- 來源期刊:華岡工程學報
- 卷期:18 民93.06
- 頁次:頁1-9
- 日期：
- 20040600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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