利用表面NH[feb0]氮化處理得到高品質的三氧化二鋁複晶矽層間介電層
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A04014072
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳永裕 簡昭欣 羅正忠
- 主題與關鍵字：
- 表面氮化處理 三氧化二鋁 複晶矽層間介電層
- 描述：
- 來源期刊:奈米通訊
- 卷期:11:2 民93.05
- 頁次:頁36-38
- 日期：
- 20040500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
