奈米晶界高介電積體化薄膜電容之研究
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- 資料識別：
- A03005926
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 許清淵(Sheu， C. I.) 張宏宜(Chang， H. Y.) 鄭世裕(Cheng， S. Y.)
- 主題與關鍵字：
- 奈米晶界 晶介氧化驅入 GBBL Nano-grain boundary Grain boundary laryer Complex impedance
- 描述：
- 來源期刊:材料科學與工程
- 卷期:35:1 民92.03
- 頁次:頁58-63
- 日期：
- 20030300
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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