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光柵在氮化矽薄膜上的應用
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資料識別:
A03002351
資料類型:
期刊論文
著作者:
張育誠 柯育甫 李鼎昌 李建階 張正陽 紀國鐘
主題與關鍵字:
電漿輔助化學氣相沉積 氮化矽 薄膜 濕式蝕刻 光柵 PECVD SiN[febb] Membrane Wet etching Grating
描述:
來源期刊:工業材料
卷期:193 民92.01
頁次:頁171-174
日期:
20030100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
張育誠 柯育甫 李鼎昌 李建階 張正陽 紀國鐘(20030100)。[光柵在氮化矽薄膜上的應用]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/67/a2.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/67/a2.html
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矽薄膜
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