奈米級先進金屬氧化半導體(MOS)元件的有效通道導電性
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- 資料識別：
- A02007700
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 黃恆盛(Huang， Heng-sheng) 黃啟聰(Huang， Chi-tsung) 陳信男(Chen， Hsin-nan)
- 主題與關鍵字：
- 通道氧化層 通道導電性 C-R方法 有效通道長度 短通道效應 Channel oxide Channel conductance ELJ model C-R method Effective channel length L□ Short channel effect Leff
- 描述：
- 來源期刊:臺北科技大學學報
- 卷期:35:1 民91.03
- 頁次:頁1-8
- 日期：
- 20020300
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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