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在底層電極上以常溫成長氮化鋁薄膜之研究
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資料識別:
A02005997
資料類型:
期刊論文
著作者:
黃靜茹(Hwang, J. L.) 黃興祿(Huang, H. L.) 陳亮斌(Chen, L. B.) 謝光宇(Hsieh, K. Y.)
主題與關鍵字:
磁控濺渡 氮化鋁 柱狀結構 Magnetron sputtering AlN Column structure
描述:
來源期刊:材料科學與工程
卷期:34:1 民91.03
頁次:頁55-60
日期:
20020300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
黃靜茹(Hwang, J. L.) 黃興祿(Huang, H. L.) 陳亮斌(Chen, L. B.) 謝光宇(Hsieh, K. Y.)(20020300)。[在底層電極上以常溫成長氮化鋁薄膜之研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/04/7a.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/4a/04/7a.html
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