氧化層厚度在矽晶元件上之研究

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資料識別:
A02039166
資料類型:
期刊論文
著作者:
Tan,Uan-kang
主題與關鍵字:
Oxide Deposition Cluster APCVD PECVD LPCVD 氧化 沉積 簇群 常壓化學氣相沉積 電漿化學氣相沉積 低壓化學氣相沉積
描述:
來源期刊:光武學報
卷期:25 民91.03
頁次:頁621-634
日期:
20020300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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