首頁
部落格
Facebook專頁
ENGLISH
珍藏特展
目錄導覽
技術體驗
成果網站資源
目錄導覽首頁
HOTKEY快速導覽
內容主題
典藏機構
進階搜尋
資源聯盟
首頁
目錄導覽
內容主題
新聞
國圖館藏期刊
首頁
目錄導覽
典藏機構與計畫
國家圖書館
國家圖書館期刊報紙典藏數位化計畫
由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點
推薦分享
資源連結
連結到原始資料
(您即將開啟新視窗離開本站)
後設資料
資料識別:
A02025702
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳力民 廖森茂 蘇炎坤 魏上欽 王俊凱 王瑞祿 陳文章
主題與關鍵字:
磷化銦鎵/砷化鎵 蝕刻 HBT
描述:
來源期刊:真空科技
卷期:15:3 民91.09
頁次:頁51-53
日期:
20020900
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳力民 廖森茂 蘇炎坤 魏上欽 王俊凱 王瑞祿 陳文章(20020900)。[由電壓對電流現象決定磷化銦鎵/砷化鎵HBT之射極平臺蝕刻終點]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/49/ac/21.html(2024/09/14瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/49/ac/21.html
評分與驗證
請為這筆數位資源評分
感謝您為這筆數位資源評分,為了讓資料更容易被檢索利用,請選擇和這項數位資源相關的詞彙:
砷化鎵
請填入更適合的關鍵詞
推薦藏品
鉻磷酸鹽處理麻竹之保綠機制
豬博德氏菌、巴氏桿菌、放線桿菌、大腸...
酸性離子液體觸媒在煉油及石化工業之應...
三相混合式發電系統變頻器之研製
UVB輻射誘發老鼠角質層細胞株氧化壓...
鄭和時代印度洋情勢與中國的關係