Compositional Inhomogeneities in InGaN/GaN Quantum Wells Studied with High Resolution Transmission Electron Microscopy
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- 資料識別：
- A02013643
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 林彥勝(Lin， Yen-sheng) 徐鎮(Hsu， Chen) 馬廣仁(Ma， Kung-jeng) 馮世維(Feng， Shih-wei) 廖啟智(Liao， Chi-chih) 楊志忠(Yang， C. C.) 卓昌正(Chou， Chang-cheng) 李家銘(Lee， Chia-ming) 綦振瀛(Chyi， Jen-inn)
- 主題與關鍵字：
- 氮化銦鎵 氮化鎵多層量子井結構 相分離 銦聚集 InGaN/GaN quantum well structures Phase separation Indium aggregation
- 描述：
- 來源期刊:Journal of the Chinese Institute of Electrical Engineering
- 卷期:9:2 民91.05
- 頁次:頁121-126
- 日期：
- 20020500
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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