閘極氧化層以鉿化合物取代二氧化矽之CMOS元件特性探討
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- 資料識別：
- A08061838
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳蕙質(Chen， H. Z.) 陳思羽(Chen， S. Y.) 劉允中(Liu， Y. Z.) 邱琦清(Qiu， Q. Q.) 朱明毅(Chu， M. I.) 譚湘瑜(Tan， S. Y.)
- 主題與關鍵字：
- 高介電層 鉿化合物 ISE-TCAD High-k dielectric FfO₂
- 描述：
- 來源期刊:華岡工程學報
- 卷期:22 2008.06[民97.06]
- 頁次:頁241-244
- 日期：
- 20080600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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