以矽化鎳作為閘極金屬層用在奈米級CMOS元件之特性探討
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- 資料識別：
- A08061829
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳人豪(Chen， R. H.) 陳昱全(Chen， Y. Q.) 陳書群(Chen， S. Q.) 劉立康(Liu， L. K.) 鄭百勝(Cheng， P. S.) 林佩洵(Lin， P. S.) 譚湘瑜(Tan， S. Y.)
- 主題與關鍵字：
- 矽化鎳 閘極介電層 ISE-TCAD Ni-FUSI Gate dielectric
- 描述：
- 來源期刊:華岡工程學報
- 卷期:22 2008.06[民97.06]
- 頁次:頁227-230
- 日期：
- 20080600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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