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絕緣層上覆矽之矽鍺異質結構雙極性電晶體的氧化層厚度對元件性能影響之模擬研究
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資料識別:
A08047515
資料類型:
期刊論文
著作者:
廖淑慧(Liao, Shu-hui) 王維敬(Wang, Wei-ching) 張書通(Chang, Shu-tong) 林中一(Lin, Chung-yi)
主題與關鍵字:
絕緣層上覆矽 截止頻率 最大振盪頻率 熱電阻 SOI Cut-off frequency Maximum oscillation frequency Thermal resistance
描述:
來源期刊:興大工程學刊
卷期:19:1 2008.03[民97.03]
頁次:頁1-8
日期:
20080300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
廖淑慧(Liao, Shu-hui) 王維敬(Wang, Wei-ching) 張書通(Chang, Shu-tong) 林中一(Lin, Chung-yi)(20080300)。[絕緣層上覆矽之矽鍺異質結構雙極性電晶體的氧化層厚度對元件性能影響之模擬研究]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/f3/ba.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/f3/ba.html
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