Weak Localization and Electron-Electron Interaction Effects in Al₀.₁₅Ga₀.₈₅N/GaN High Electron Mobility Transistor Structures Grown on ρ-type Si Substrates
推薦分享
資源連結
連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)後設資料
- 資料識別：
- A08029788
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- Chen， Kuang Yao Liang， C. T. Chen， N. C. Chang， P. H. Chang， Chin-an
- 描述：
- 來源期刊:Chinese Journal of Physics
- 卷期:45:6(1) 2007.12[民96.12]
- 頁次:頁616-621
- 日期：
- 20071200
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
授權聯絡窗口
- 管理單位：知識服務組-期刊
聯絡E-mail：nclper@ncl.edu.tw
電話：02-23619132轉305
