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高效率多孔隙氮化銦鎵發光元件研製
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資料識別:
A08028467
資料類型:
期刊論文
著作者:
黃立陽(Huang, L. Y.) 張政謙(Chang, C. C.) 謝秉承(Hsieh, P. C.) 楊仲傑(Yang, C. C.) 林佳鋒(Lin, C. F.)
主題與關鍵字:
氮化鎵 光致電化學氧化 多孔隙結構 壓電場效應 Nanoporous GaN:Mg InGaN-based light-emitting diodes Photoelectrochemical PEC
描述:
來源期刊:材料科學與工程
卷期:38:4 民95.12
頁次:頁223-227
日期:
20061200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
黃立陽(Huang, L. Y.) 張政謙(Chang, C. C.) 謝秉承(Hsieh, P. C.) 楊仲傑(Yang, C. C.) 林佳鋒(Lin, C. F.)(20061200)。[高效率多孔隙氮化銦鎵發光元件研製]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/d7/a4.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/d7/a4.html
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