電荷汲引技術(Charge-Pumping Technique)應用於High-κ金氧半電晶體閘介電層內部邊緣缺陷縱深及能量分佈量測

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A08019000
資料類型:
期刊論文
著作者:
呂君章 盧俊源 張廖貴術
主題與關鍵字:
高介電係數介電材料 界面陷阱 邊緣缺陷 電荷汲引測量
描述:
來源期刊:電子月刊
卷期:13:10=147 2007.10[民96.10]
頁次:頁149-161
日期:
20071000
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

遮陰對十八種適用綠籬植物葉片壽命之影...
臺灣特有種植物與藥用資源調查研究
LCD反射式增亮膜(DBEF)之微結...
年輕成人的肝膿瘍:愛滋病毒感染的線索...
總計畫:中藥材輻射滅菌劑量之評估研究...
基因醫學在臨床腫瘤學的應用