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Temperature Effect on the AIN/SiO[feaf] Gate pH-ISFET Devices
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後設資料
資料識別:
A08012825
資料類型:
期刊論文
著作者:
賈維國 江榮隆
主題與關鍵字:
Aluminum nitride AlN ISFET Sputtering Temperature coefficient Constant voltage constant current CVCC 氮化鋁離子感測場效電晶體 溫度 氮化鋁薄膜
描述:
來源期刊:和春學報
卷期:10 民92.07
頁次:頁47-54
日期:
20030700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
賈維國 江榮隆(20030700)。[Temperature Effect on the AIN/SiO[feaf] Gate pH-ISFET Devices]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/be/b5.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/be/b5.html
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