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The Decreased Hysteresis Phenomenon of Gd-oxide MOS Capacitor Using High Temperature Thermal Oxidation
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資料識別:
A08006357
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳世濃(Chen, Shih-nung) 柯鴻禧(Ko, Hong-hsi) 黃琪聰(Huang, Chi-tsung) 林聰吉(Lin, Tsung-chi) 洪美惠(Hong, Mei-huei) 張鴻源(Jang, Horng-yuan) 李怡欣(Lee, Yi-shin)
主題與關鍵字:
三氧化二釓 磁滯現象 金氧半電容 熱氧化 Gd₂O₃ Hysteresis phenomenon MOS capacitor Thermal oxidation
描述:
來源期刊:南開學報
卷期:4:2 民95.12
頁次:頁39-44
日期:
20061200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
陳世濃(Chen, Shih-nung) 柯鴻禧(Ko, Hong-hsi) 黃琪聰(Huang, Chi-tsung) 林聰吉(Lin, Tsung-chi) 洪美惠(Hong, Mei-huei) 張鴻源(Jang, Horng-yuan) 李怡欣(Lee, Yi-shin)(20061200)。[The Decreased Hysteresis Phenomenon of Gd-oxide MOS Capacitor Using High Temperature Thermal Oxidation]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/b4/95.html(2017/03/27瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/b4/95.html
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