次世代記憶體發展--如何築夢?

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後設資料

資料識別:
A08005337
資料類型:
期刊論文
著作者:
陳俊儒(Chen, Chun-ju) 李冠樺(Lee, Guan-hua)
主題與關鍵字:
鐵電記憶體 磁阻記憶體 相變化記憶體 Ferroelectric random access memory Magnetoresistance random access memory Phase change memory
描述:
來源期刊:產業與管理論壇
卷期:9:4 2007.12[民96.12]
頁次:頁62+64-80
日期:
20071200
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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