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矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討
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資料識別:
A08003307
資料類型:
期刊論文
著作者:
吳忠義(Wu, Chung-Yi) 林忠雄(Lin, Chung-Hsiung) 康定國(Kang, Ting-Kuo) 許哲榮(Hsu, Che-Jung) 吳三連(Wu, San-Lein)
主題與關鍵字:
雙層量子井 載子侷限 閘極偏壓範圍 Double quantum wells Carrier confinement Gate voltage swings
描述:
來源期刊:正修學報
卷期:20 2007.11[民96.11]
頁次:頁35-49
日期:
20071100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
吳忠義(Wu, Chung-Yi) 林忠雄(Lin, Chung-Hsiung) 康定國(Kang, Ting-Kuo) 許哲榮(Hsu, Che-Jung) 吳三連(Wu, San-Lein)(20071100)。[矽鍺雙通道元件電洞侷限能力之探討]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/ad/eb.html(2024/09/16瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/3b/ad/eb.html
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