對CMOS閘極氧化層線寬為130nm、90nm、65nm時的模擬與分析
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- 資料識別：
- A07076599
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳宜澤(Chen， I-tse) 謝宗原(Xie， Zong-yuan) 馮舉威(Feng， Chu-wei) 邱顯嘉(Qiu， Xian-jia) 胡峻諺(Hu， Jim) 譚湘瑜(Tan， S. Y.)
- 主題與關鍵字：
- 二氧化矽 氮化矽 互補金屬氧化物半導體 SiO2 Si3N4 CMOS
- 描述：
- 來源期刊:華岡工程學報
- 卷期:20 民95.06
- 頁次:頁61-68
- 日期：
- 20060600
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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