閘控水平式P型雙載子接面電晶體於不同結構下電流增益特性之研究
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- 資料識別：
- A07066830
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， Chii-Wen) 楊鎮澤(Yang， Jenn-Tzer) 何彥慶(Ho， Yen-Ching) 周建豪(Chou， Jian-Hau) 謝建成(Hsieh， J. C.) 李傳英(Lee， C. Y.) 葉德強(Yah， D. C.)
- 主題與關鍵字：
- 閘控水平式P型雙載子接面電晶體 電流增益 N[90a7]埋藏層 主從式 Gate-controlled lateral PNP BJT Current gain N[90a7] buried layer Slaver
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:33 2007.07[民96.07]
- 頁次:頁311-336
- 日期：
- 20070700
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
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