摻雜濃度對矽鍺異質接面雙載子電晶體直流電氣特性影響之研究
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- 資料識別：
- A07066829
- 資料類型：
- 期刊論文
- 著作者：
- 陳啟文(Chen， Chii-Wen) 楊鎮澤(Yang， Jenn-Tzer) 何彥慶(Ho， Yen-Ching) 傅遠良(Fu， Yuan-Liang) 謝建成(Hsieh， J. C.) 李傳英(Lee， C. Y.) 葉德強(Yah， D. C.)
- 主題與關鍵字：
- 矽鍺異質接面雙載子電晶體 崩潰電壓 摻雜濃度 電流增益 自發熱效應 SiGe HBT Breakdown voltage Doping Current gain Self-heating effect
- 描述：
- 來源期刊:明新學報
- 卷期:33 2007.07[民96.07]
- 頁次:頁283-309
- 日期：
- 20070700
- 來源：
- 臺灣期刊論文索引系統
- 管理權：
- 國家圖書館
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