偏壓輔助成核對多晶CVD鑽石成長之影響

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A07060377
資料類型:
期刊論文
著作者:
李世鴻(Lee, Shih-Fong) 焦繼葳(Chiao, Chi-Wei)
主題與關鍵字:
偏壓輔助成核 微波輔助化學氣相沉積 多晶鑽石 Bias-enhanced nucleation BEN Microwave-assisted chemical-vapor deposition MACVD Polycrystalline diamond
描述:
來源期刊:科學與工程技術期刊
卷期:3:1 2007.03[民96.03]
頁次:頁1-8
日期:
20070300
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

利用免疫細胞吞噬活性為快速篩檢平臺評...
總計畫:中藥材輻射滅菌劑量之評估研究...
微結構分析技術之介紹
戰國至漢初的儒學傳承--以楚地簡帛為...
試介李勤岸、胡民祥、莊柏林、路寒袖、...
「幽靈」與「朋友」:論晚期解構主義的...