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High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor
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資料識別:
A98040401
資料類型:
期刊論文
著作者:
簡信裕(Jain, Shin-yuh) 吳昌崙(Wu, Chang-luen) 許渭州(Hsu, Wei-chou) 蘇建信(Su, Jan-shing) 林蔚(Lin, Wei)
主題與關鍵字:
有機金屬化學汽相沉積法 異質結構場效電晶體 蕭基位障 崩潰電壓 MOCVD HFET Schottky barrier height Breakdown voltage
描述:
來源期刊:吳鳳學報
卷期:6 民87.06
頁次:頁75-80
日期:
19980600
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
簡信裕(Jain, Shin-yuh) 吳昌崙(Wu, Chang-luen) 許渭州(Hsu, Wei-chou) 蘇建信(Su, Jan-shing) 林蔚(Lin, Wei)(19980600)。[High-Breakdown Characteristics of the InAlAsSb/InGaAs/InP Heterostructure Field-Effect Transistor]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/bd/0e.html(2017/03/23瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/bd/0e.html
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