The Fabrication of High-Speed and High-Power InGaAs/GaAs Field-Effect Transistors Grown by MOCVD

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資料識別:
A98037212
資料類型:
期刊論文
著作者:
謝和銘(Shieh, Hir-ming) 許渭州(Hus, Wei-chou) Tsai,Churng-jou
主題與關鍵字:
異質結構 場效電晶體 二維電子雲 平面摻雜 Heterostructure FET Two-dimensional electron gas δ-doping
描述:
來源期刊:崑山技術學院學報
卷期:1 民87.01
頁次:頁5-8
日期:
19980100
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

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