Observation of Negative Differential Resistance in a Si/Ge垍Si垎/Boron犻-doped Si Heterostructure

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A98014201
資料類型:
期刊論文
著作者:
王水進(Wang, Shui-jinn) 吳三連(Wu, San-lien)
主題與關鍵字:
Negative differential resistance Real space transfer GeSi heterostructure Peak-to-valley current ratio Onset voltage 矽鍺 異質結構 負電阻
描述:
來源期刊:Proceedings of the National Science Council. Part A, Physical Science and Engineering
卷期:22:3 民87.05
頁次:頁425-430
日期:
19980500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

臺灣中部蓮華池地區低海拔常綠闊葉林4...
天下無雙 古今鮮對--晉唐法書名蹟特...
高分子電解質膜燃料電池(PEMFC)...
中醫藥對慢性病毒性肝炎療效評估之研究
「淡新檔案」研究成果之一範例--戴著...
單子、褶曲與全球化:人文學科再造的省...