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Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching
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資料識別:
A98014200
資料類型:
期刊論文
著作者:
林鴻志(Lin, Horng-chih) 王夢凡(Wang, Meng-fan) 簡昭欣(Chien, Chao-hsin) 黃調元(Huang, Tiao-yuan) 張俊彥(Chang, Chun-yuan)
主題與關鍵字:
Plasma Metal-oxide-semiconductor transistor MOS transistor Antenna effet 金屬蝕刻 電漿 充電損害效應
描述:
來源期刊:Proceedings of the National Science Council. Part A, Physical Science and Engineering
卷期:22:3 民87.05
頁次:頁416-424
日期:
19980500
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
林鴻志(Lin, Horng-chih) 王夢凡(Wang, Meng-fan) 簡昭欣(Chien, Chao-hsin) 黃調元(Huang, Tiao-yuan) 張俊彥(Chang, Chun-yuan)(19980500)。[Characterization of Plasma Charging Induced Gate Oxide Damage during Metal Etching]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/4d/4a.html(2017/03/23瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/63/4d/4a.html
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