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FTIR量測比較氧化生長法之二氧化矽薄膜矽-氧-矽鍵結均勻性定性分析SiO[feaf]/Si界面層結構
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資料識別:
A97024927
資料類型:
期刊論文
著作者:
蔡震寰(Tsai, Jen-hwan) 張毅(Chang, Yih) 陳培中(Cheng, P. C.) 廖志雄(Liao, Chin-hsiung) 王弘宗(Wang, H. T.) 曾昆福(Tseng, Kun-fu)
主題與關鍵字:
乾氧及濕氧性二氧化矽 傅立葉轉換紅外光譜分析儀 矽-氧-矽鍵結 Wet and dry oxide Fourier transformed infrared spectrometry Si-O-Si bonding
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:26:1 民86.07
頁次:頁47-58
日期:
19970700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館
授權聯絡窗口
管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305
引用這筆典藏
引用資訊
蔡震寰(Tsai, Jen-hwan) 張毅(Chang, Yih) 陳培中(Cheng, P. C.) 廖志雄(Liao, Chin-hsiung) 王弘宗(Wang, H. T.) 曾昆福(Tseng, Kun-fu)(19970700)。[FTIR量測比較氧化生長法之二氧化矽薄膜矽-氧-矽鍵結均勻性定性分析SiO[feaf]/Si界面層結構]。《數位典藏與數位學習聯合目錄》。http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/de/e4.html(2017/03/23瀏覽)。
直接連結
http://catalog.digitalarchives.tw/item/00/62/de/e4.html
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