以4x10[fee4] Dose/cm[feb4]矽離子佈植100 nm二氧化矽薄膜經100℃快速退火之光激發螢光研發

推薦分享

Share

資源連結

連結到原始資料 (您即將開啟新視窗離開本站)

後設資料

資料識別:
A97024926
資料類型:
期刊論文
著作者:
蔡震寰(Tsai, Jen-hwan) 張毅(Chang, Yih) 高進興(Kao, C. H.) 曾昆福(Tseng, Kun-fu) 張廷桓(Chang, Ting-huan) 廖志雄(Liao, Ching-hsiung)
主題與關鍵字:
矽離子佈植 快速退火 光激發螢光 Silicon implanation Rapid thermal annealing Photoluminescence
描述:
來源期刊:中正嶺學報
卷期:26:1 民86.07
頁次:頁35-45
日期:
19970700
來源:
臺灣期刊論文索引系統
管理權:
國家圖書館

授權聯絡窗口

管理單位:知識服務組-期刊
聯絡E-mail:nclper@ncl.edu.tw
電話:02-23619132轉305

引用這筆典藏 引用說明

引用資訊
直接連結

評分與驗證

請為這筆數位資源評分

star star star star star

推薦藏品

最近中國大陸考古的新發現
挪威對於養殖魚類之安全、衛生及基改飼...
基因醫學在臨床腫瘤學的應用
十六國時代趙對峙時期諸族殺掠與邑野蕭...
中國佛學的發展結構與詮釋方法論--創...
微結構分析技術之介紹